l pasado mes de septiembre recogíamos que Samsung estaba trabajando en unas unidades Z-SSD con memoria Z-NAND, los cuales se podrían convertir en las unidades SSD más rápidas del mercado. Dicho y hecho, tan sólo cinco meses después la compañía ha lanzado el primero de los productos haciendo uso de estas memorias, con unas velocidades de vértigo.
El primero Z-SSD de Samsung llega al mercado
Los Z-SSD son la respuesta de Samsung a los Intel Optane. Estos últimos gozaban en la actualidad con el título de ser los más rápidos del mercado, pero Samsung ha sabido adelantarles con la nueva unidad SZ985. Las capacidades en las que estará disponible la unidad SZ95 serán, de momento, 240 y 800 GB, y cuenta con una velocidad de lectura y escritura secuencial de 3,2 GB/s. El Intel Optane P4800X contaba hasta ahora con 2,4 GB/s de lectura secuencial y 2 GB/s de escritura. En este aspecto, la nueva unidad de Samsung es la más rápida del mundo.
En las velocidades de escritura aleatoria y en las latencias es donde la memoria Z-NAND no puede reinar en todos los ámbitos. La velocidad de lectura aleatoria es de 750.000 IOPS, por los 550.000 IOPS de lectura de Optane. Sin embargo, la escritura aleatoria baja a 170.000 IOPS por los 500.000 IOPS de Optane, ya que la memoria Z-NAND sigue siendo NAND. La latencia de escritura es de 16 µs, por los 10 µs de Optane (menos es mejor).
Los Z-SSD son una evolución de los SSD actuales, pero su precio todavía es demasiado elevado para hacer unidades destinadas a consumidores. Además, es difícil encontrar usos donde se pueda saturar una unidad SSD SATA, y mucho menos una NVMe, por lo que de momento tendremos que seguir funcionando con memorias 2D NAND y 3D NAND (estas últimas tendrán una mayor presencia este año).
Va a ser difícil que te hagas con uno de ellos
Con respecto a las 3D NAND, la comparación es sobrecogedora. La velocidad de lectura de las Z-NAND es diez veces superior a la de una unidad 3D NAND TLC convencional, además de ser un 70% más rápida que el SSD PM963 NVMe. El Z-SSD utiliza MLC NAND con una configuración SLC (reduciendo la corrección de errores extra que se añade cuando se usa MLC) para poder tener mejor rendimiento y durabilidad.Este Z-SSD cuenta con 1,5 GB de RAM LPDDR4, lo cual es extraño porque normalmente se suele incorporar 1 GB de RAM por cada TB. Por ello, cabría esperar unidades de mayor capacidad en el futuro. La durabilidad es otro factor que Samsung ha destacado sobre esta unidad, ya que empata las 30 escrituras completas del dispositivo durante 5 años (unos 43.000 TBW)
Samsung no ha anunciado precio ni disponibilidad de esta nueva unidad, pero las mostrará y probablemente anunciará una fecha definitiva de lanzamiento en la conferencia ISSCC 2018 que celebrará en San Francisco entre el 11 y 15 de febrero. No esperéis poder haceros con esta unidad, ya que está destinada a HPC (High Performance Computing), y sistemas de aprendizaje de inteligencia artificial y big data.
El primero Z-SSD de Samsung llega al mercado
Los Z-SSD son la respuesta de Samsung a los Intel Optane. Estos últimos gozaban en la actualidad con el título de ser los más rápidos del mercado, pero Samsung ha sabido adelantarles con la nueva unidad SZ985. Las capacidades en las que estará disponible la unidad SZ95 serán, de momento, 240 y 800 GB, y cuenta con una velocidad de lectura y escritura secuencial de 3,2 GB/s. El Intel Optane P4800X contaba hasta ahora con 2,4 GB/s de lectura secuencial y 2 GB/s de escritura. En este aspecto, la nueva unidad de Samsung es la más rápida del mundo.
En las velocidades de escritura aleatoria y en las latencias es donde la memoria Z-NAND no puede reinar en todos los ámbitos. La velocidad de lectura aleatoria es de 750.000 IOPS, por los 550.000 IOPS de lectura de Optane. Sin embargo, la escritura aleatoria baja a 170.000 IOPS por los 500.000 IOPS de Optane, ya que la memoria Z-NAND sigue siendo NAND. La latencia de escritura es de 16 µs, por los 10 µs de Optane (menos es mejor).
Los Z-SSD son una evolución de los SSD actuales, pero su precio todavía es demasiado elevado para hacer unidades destinadas a consumidores. Además, es difícil encontrar usos donde se pueda saturar una unidad SSD SATA, y mucho menos una NVMe, por lo que de momento tendremos que seguir funcionando con memorias 2D NAND y 3D NAND (estas últimas tendrán una mayor presencia este año).
Va a ser difícil que te hagas con uno de ellos
Con respecto a las 3D NAND, la comparación es sobrecogedora. La velocidad de lectura de las Z-NAND es diez veces superior a la de una unidad 3D NAND TLC convencional, además de ser un 70% más rápida que el SSD PM963 NVMe. El Z-SSD utiliza MLC NAND con una configuración SLC (reduciendo la corrección de errores extra que se añade cuando se usa MLC) para poder tener mejor rendimiento y durabilidad.Este Z-SSD cuenta con 1,5 GB de RAM LPDDR4, lo cual es extraño porque normalmente se suele incorporar 1 GB de RAM por cada TB. Por ello, cabría esperar unidades de mayor capacidad en el futuro. La durabilidad es otro factor que Samsung ha destacado sobre esta unidad, ya que empata las 30 escrituras completas del dispositivo durante 5 años (unos 43.000 TBW)
Samsung no ha anunciado precio ni disponibilidad de esta nueva unidad, pero las mostrará y probablemente anunciará una fecha definitiva de lanzamiento en la conferencia ISSCC 2018 que celebrará en San Francisco entre el 11 y 15 de febrero. No esperéis poder haceros con esta unidad, ya que está destinada a HPC (High Performance Computing), y sistemas de aprendizaje de inteligencia artificial y big data.
